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商品描述
Contents :
Preface; Acknowledgments; Brief Review of the Relevant Equations of Physics;
The Symmetry of the Crystal Lattice; The Theory of Energy Bands in Crystals;
Imperfections of Ideal Crystal Structure; Equilibrium Statistics for Electrons
and Holes; Self-Consistent Potentials and Dielectric Properties of Semiconductors;
Scattering Theory; the Boltzmann Transport Equation and its Approximate Solutions;
Generation-Recombination; The Heterojunction Barrier and Related transport Problems;
The Device Equations of Shockley and Stratton; Numerical Device Simulations;
Diodes; Laser-Diodes; Transistors; Appendix A: Tunneling and the Golden Rule;
Appendix B: The One Band Approximation; Appendix C: Temperature Dependence of
the Band Structure; Appendix D: Hall Effect and Magnetoresistance for Small
Magnetic Fields; Appendix E: The Power Balance Equation from the Method of Moments;
Appendix F: the Self-Consistent Potential at a Heterojunction (Quantum Case);
Appendix G: Diffusive Transport and Thermionic Emission in Schottky Barrier
Transport; Index; About the Author
商品描述(中文翻譯)
半導體裝置在當今世界中無處不在,並且越來越多地出現在汽車、廚房和電子門鎖中,證明了它們在我們日常生活中的存在。本書全面介紹了半導體裝置理論的基本原理,從基本的量子物理到計算機輔助設計。《半導體裝置的進階理論》將幫助您通過對基本方程式、其有效性及其在當前模擬工具中所包含的數值解的徹底討論,來提高您對計算機模擬裝置的理解。您將獲得有關III-V化合物和矽技術中使用的裝置的最先進知識。本書特別介紹了電子傳輸的新方法和解釋,特別是在p-n接面二極體中的應用。同時,對於量子級激光二極體和矽技術中的熱電子效應也給予了密切關注。本書深入淺出,專為研究生、研究科學家和固態電子學的研究工程師設計,旨在幫助他們更好地掌握半導體裝置的基本原理。
內容:
前言;致謝;相關物理方程的簡要回顧;晶格的對稱性;晶體中的能帶理論;理想晶體結構的缺陷;電子和空穴的平衡統計;半導體的自洽勢能和介電性質;散射理論;玻爾茲曼傳輸方程及其近似解;產生-復合;異質接面障礙及相關傳輸問題;肖克利和斯特拉頓的裝置方程;數值裝置模擬;二極體;激光二極體;晶體管;附錄A:隧道效應和黃金法則;附錄B:單能帶近似;附錄C:能帶結構的溫度依賴性;附錄D:小磁場下的霍爾效應和磁阻;附錄E:來自矩方法的功率平衡方程;附錄F:異質接面處的自洽勢能(量子情況);附錄G:肖特基障礙傳輸中的擴散傳輸和熱電子發射;索引;關於作者