半導體元件物理學, 3/e (上冊) (Physics of Semiconductor Devices, 3/e)
施敏、伍國(王玉) 著、張鼎張、劉柏村 譯
- 出版商: 國內交通大學出版社
- 出版日期: 2011-02-28
- 定價: $900
- 售價: 9.5 折 $855
- 語言: 繁體中文
- 頁數: 564
- ISBN: 9868439515
- ISBN-13: 9789868439511
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相關分類:
半導體、物理學 Physics
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商品描述
<內容簡介>
本書適用電機、電子、物理、材料等科系大學高年級生及研究生修習半導體相關課程使用。在半導體元件領域中,樹立了先進的研究以及參考的標準,現在第三版的內容徹底更新並將架構重新組織,以反應元件概念以及品質上的巨大進展,第三版維持最詳細且徹底的資料在最重要的半導體元件上,使讀者立即獲得重要的元件物理知識以及詳細的元件特性,包含主要的雙載子、場效、微波、光子以及偵測元件,為了採用及參考本書的研究生需要設計,新版的內容包含:
- 將最新的發展徹底更新。
- 新的元件例如三維MOSFETs、MODETs、共振穿隧二極體、半導體偵測器、量子Cascade雷射、單電子電晶體、real-space transfer以及更多的元件。
- 將材料完全重新組織。
- 在每一章的後面設立問題集。
- 所有的圖以最高的品質重新繪製。
<章節目錄>
導論
第一部份 半導體物理
第一章 半導體物理及特性—回顧篇
- 1.1 簡介
- 1.2 晶體結構
- 1.3 能帶與能隙
- 1.4 熱平衡狀態下的載子濃度
- 1.5 載子傳輸現象
- 1.6 聲子、光和熱特性
- 1.7 異質接面與奈米結構
- 1.8 基本方程式與範例
第二部份 元件建構區塊
第二章 p-n接面
- 2.1 簡介
- 2.2 空乏區
- 2.3 電流-電壓特性
- 2.4 接面崩潰
- 2.5 暫態行為與雜訊
- 2.6 終端功能
- 2.7 異質接面
第三章 金屬-半導體接觸
- 3.1 簡介
- 3.2 位障的形成
- 3.3 電流傳輸過程
- 3.4 位障高度的量測
- 3.5 元件結構
- 3.6 歐姆接觸
第四章 金屬-絕緣體-半導體電容器
- 4.1 簡介
- 4.2 理想MIS電容器
- 4.3 矽MOS電容器
第三部份 電晶體
第五章 雙載子電晶體(BJT)
- 5.1 簡介
- 5.2 靜態特性
- 5.3 微波特性
- 5.4 相關元件結構
- 5.5 異質接面雙載子電晶體
第六章 金氧半場效電晶體(MOSFET)
- 6.1 簡介
- 6.2 基本元件特性
- 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件
- 6.4 元件微縮與短通道效應
- 6.5 MOSFET結構
- 6.6 電路應用
- 6.7 非揮發性記憶體元件
- 6.8 單電子電晶體
第七章 接面場效電晶體(JFET)、金屬半導體場效電晶體(JFET)以及調變摻雜場效電晶體(MODFET)
- 7.1 簡介
- 7.2 JFET和MESFET
- 7.3 MODFET
附錄
索引