半導體製程概論 (Sze & May: Fundamentals of Semiconductor Fabrication)(增訂版)

施敏‧梅凱瑞 原著、林鴻志 譯

半導體製程概論 (Sze & May: Fundamentals of Semiconductor Fabrication)(增訂版)
  • 出版商: GL高立
  • 出版日期: 2016-05-31
  • 定價: $600
  • 售價: 9.5 折 $570
  • 語言: 繁體中文
  • 頁數: 564
  • ISBN: 9866301893
  • ISBN-13: 9789866301896
  • 相關分類: 半導體

    • 立即出貨(限量) (庫存=2)

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商品描述

<內容簡介>

1.清楚解釋從晶體成長到形成積體元件與電路的製造過程中，所有主要步驟的理論與實作層面的重點。
2.加入2000年後的積體元件技術資訊，可讓讀者了解最新進展與趨勢。
3.各章穿插附有題解的範例，方便學生自修或教師教學使用。
4.各章皆列出學習目標與重要觀念的總結，並附習題為讀後作業。
5.適合作為物理、化學、電機工程、化學工程和材料科學等系所之大四或碩一階段之教材。
6.可配合學校實驗室進行相關實作教學。
7.適合做為半導體產業界工程師與科學家的參考資料。

<章節目錄>

第一章　簡介
第二章　晶體成長
第三章　矽氧化
第四章　微影
第五章　蝕刻
第六章　擴散
第七章　離子佈植
第八章　薄膜沉積
第九章　製程整合
第十章　積體電路製造
第十一章　未來趨勢與挑戰
附錄

目錄大綱

第一章 簡介    
1.1 半導體材料    
1.2 半導體元件    
1.3 半導體製程技術    
1.4 基本製程技術     
1.5 總結    

第二章 晶體成長     
2.1 從熔融液之矽晶成長     
2.2 浮帶矽晶製程     
2.3 砷化鎵晶體成長技術     
2.4 材料特性     
2.5 總結    

第三章 矽氧化     
3.1 熱氧化過程     
3.2 氧化過程中雜質的再分佈     
3.3 二氧化矽層的遮罩特性     
3.4 氧化層的品質    
3.5 氧化層厚度的量測     
3.6 氧化模擬    
3.7 總結     

第四章 微影     
4.1 光學微影     
4.2 下世代微影技術    
4.3 微影模擬     
4.4 總結     

第五章 蝕刻     
5.1 濕式化學蝕刻     
5.2 乾式蝕刻     
5.3 蝕刻模擬    
5.4 總結    

第六章 擴散     
6.1 基本擴散製程    
6.2 外質擴散    
6.3 橫向擴散     
6.4 擴散模擬     
6.5 總結     

第七章 離子佈植     
7.1 佈植離子射程     
7.2 佈植損壞與退火     
7.3 佈植相關製程     
7.4 離子佈植模擬     
7.5 總結     

第八章 薄膜沉積     
8.1 磊晶成長技術     
8.2 磊晶層的結構與缺陷     
8.3 介電質沉積     
8.4 複晶矽沉積     
8.5 金屬鍍膜    
8.6 沉積模擬     
8.7 總結     

第九章 製程整合     
9.1 被動組件     
9.2 雙載子電晶體技術     
9.3 金氧半場效電晶體技術     
9.4 金半場效電晶體技術     
9.5 微機電技術     
9.6 製程模擬     
9.7 總結     

第十章 積體電路製造     
10.1 電性測試     
10.2 構裝     
10.3 統計製程管制     
10.4 統計實驗設計     
10.5 良率    
10.6 電腦整合製造     
10.7 總結     

第十一章 未來趨勢與挑戰     
11.1 整合之挑戰     
11.2 系統晶片     
11.3 總結     

附 錄
A 符號表 
B 國際單位系統 
C 單位字首 
D 希臘字母 
E 物理常數 
F 300 K 時矽和砷化鎵的特性 
G 錯誤函數的一些性質 
H 基本氣體動力學原理 
I SUPREM指令 
J 執行PROLITH 
K t 分佈之百分比點 
L F 分佈之百分比點

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