半導體元件物理－觀念解析與實務應用
劉傳璽 編著
- 出版商: GL高立
- 出版日期: 2024-09-01
- 定價: $760
- 售價: 9.5 折 $722
- 語言: 繁體中文
- 頁數: 516
- ISBN: 9863784168
- ISBN-13: 9789863784166
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半導體、物理學 Physics
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商品描述
本書內容足以作為一學期之半導體元件物理的課程教科書使用外，也非常適合作為半導體相關工程師自我充實成長或公司內部教育訓練的教材。內容之編寫抱持書名副標題「觀念解析與實務應用」的理念，強調觀念與實務兼顧，因此盡量避免深奧的物理與繁瑣的數學，但對於重要的觀念與技術都會清楚的解釋，並盡可能以共通的基本原理原則，貫通前後章節的知識概念，使讀者輕易掌握其中條理脈絡，以內化成自己紮實的知識。因此，對於讀者欲研讀更高階的半導體元件物理知識，可以本書的內容為基礎再進一步研讀相關的課題，會是很好的切入點。
相較於坊間其他相關的半導體元件物理書籍，本書的特色至少包括：
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涵蓋並詳細說明現代產業界先進元件技術之相關元件物理觀念。包括高介電係數介電層 (high-k dielectrics)、應變矽 (strained-Si)、鰭式電晶體 (Fin-FET) 等先進元件技術。
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以直觀的「物理現象」與「電機概念」，用淺顯易懂的方式清楚闡釋深奧的元件物理觀念與在實務上相關的重要應用。
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各章節中對於基礎、重要的內容，屬於讀者必須瞭解的觀念或公式，均提供作者特別設計之經典題型的「範例」，其包含促進讀者有效學習的「解答」與觀念釐清的「評論」。
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各章節中對於容易混淆的觀念或公式，均提供作者精心整理設計的「圖表」與解說，讓讀者不需特別耗費時間死背公式或結果，而能吸收內化成為自己的知識，歷久不忘。
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各章節中基礎、重要的內容，均依文本順序附有足夠的對應「習題」。習題主要選取自近二十年國家考試與研究所入學考試之經典題型，然對於未出現於前述之重要題型 ( 包含實務應用題 )，作者均設計補足。
作者簡介
劉傳璽
學歷：美國亞歷桑那州立大學電機博士
現職：國立臺灣師範大學機電系教授、光電所合聘教授，兼科技與工程學院副院長
國際知名學術期刊 ( 如IEEE等 ) 之專業論文審查委員
經歷與獎項：
考試院典試委員
國家高等考試命題委員
司法院法官學院、法務部司法官學院、調查局講座 ( 講授「半導體產業營業秘密介紹」)
台積電講座 ( 講授「半導體製程整合」)
國立臺灣師範大學副教務長兼通識中心主任、進修推廣學院副院長
國科會專題計畫審查委員、複審委員
勞動部勞動力發展署複審委員
經濟部工業局專業審查委員
國立臺灣師範大學領航教師、教學傑出教師
中華民國教育學術團體木鐸獎、行政院科技部特殊優秀人才獎勵
教育部高教司學術倫理審查委員
教育部國教署課程審議委員、教育部中等學校師資培育專門課程審查委員
銘傳大學電子系副教授兼系主任、國際學院學群主任
國立台北科技大學兼任副教授
聯華電子經理
美國紐約IBM研發工程師
國際知名研討會IEEE IEDM、IRPS、VLSI……等委員會委員或論文審查委員
國際知名期刊EDL、T-ED、T-DMR、JES、APL、JAP、MEE、MR……等論文審查委員
科學園區台積電、聯電、聯詠、華邦電、松翰、凌陽……等上市櫃科技公司之授課講座或專題演講
著作：國際學術論文超過100篇、中美專利超過20件、中文書籍6本
目錄大綱
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1 導 論
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2 半導體材料與晶體結構
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3 半導體能帶觀念
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4 熱平衡時的半導體能帶與載子濃度
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5 導電載子的傳輸
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6 非平衡狀態時的過量載子
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7 PN接面
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8 PN接面二極體
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9 理想MOS結構
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10 實際MOS元件
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11 MOSFET元件
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附錄A：物理常數
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附錄B：轉換因數
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附錄C：溫度300 K時常用之Si、Ge與GaAs的性質
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附錄D：溫度300 K時常用之SiO2與Si3N4的性質
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附錄E：Si、Ge與GaAs常用性質隨絕對溫度 (T ) 變化關係
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中英文索引
