半導體元件, 7/e (Streetman: Solid State Electronic Devices, 7/e)
Ben G.Streetman , Sanjay K. Banerjee 著、龔正、鄭岫盈、吳忠義 譯
- 出版商: CS滄海
- 出版日期: 2016-12-31
- 定價: $720
- 售價: 9.8 折 $706
- 語言: 繁體中文
- 頁數: 632
- ISBN: 9862803649
- ISBN-13: 9789862803646
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相關分類:
半導體
- 此書翻譯自: Solid State Electronic Devices, 7/e (GE-Paperback)
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商品描述
<內容簡介>
本版新增內容
MOS元件：增加先進元件的解說，包括彈道式(ballistic)FET、鰭式FET、應力式(strained)矽元件、金屬閘高介質(MGHK)元件，以及III-V族高通道遷移率元件。
光電元件：增加寬能隙含氮半導體元件，以及量子疊接雷射。
全新的奈米電子章節：令人震撼的新視野，例如二維結構材料之石墨烯與拓墣絕緣體、一維材料之奈米線，以及零維材料之量子點。
自旋電子學(spintronics)、電阻式記憶體，以及相變化記憶體。
約100道全新習題，以及與新增內容相關的最新參考文獻。
<章節目錄>
第 1 章 半導體的晶格特性與成長
第 2 章 原子和電子
第 3 章 半導體的能帶與帶電載子
第 4 章 半導體內的過量載子
第 5 章 接面
第 6 章 場效應電晶體
第 7 章 雙載子接面電晶體
第 8 章 光電元件
第 9 章 積體電路
第10章 高功率高頻奈米電子元件
附錄 I 常用符號之定義
附錄 II 物理常數及轉換因子
附錄 III 半導體材料之性質
附錄 IV 導帶能態密度的推導
附錄 V 推導費米－迪拉克統計
附錄 VI 在 Si (100) 上成長乾式及濕式氧化層厚度為時間和溫度之函數
附錄 VII 矽中雜質的固溶率
附錄 VIII Si 與 SiO2 中摻雜質的擴散係數
附錄 IX 矽中投影範圍和散落為佈植能量的函數
自我測驗問題選答
