Second-Order Photogalvanic Photocurrents in 2D Materials (二維材料中的二階光電流)
Eginligil, Mustafa, Yu, Ting
- 出版商: Springer
- 出版日期: 2024-03-17
- 售價: $2,140
- 貴賓價: 9.5 折 $2,033
- 語言: 英文
- 頁數: 116
- 裝訂: Quality Paper - also called trade paper
- ISBN: 9819706173
- ISBN-13: 9789819706174
海外代購書籍(需單獨結帳)
相關主題
商品描述
This book highlights the photogalvanic effects at low dimensions, surfaces, and interfaces, more specifically 2D materials, such as graphene and monolayer transition metal dichalcogenides. Although the phenomenology of the photogalvanic effects, which can be simply seen as photoresponse nonlinear-in-electric field, have been well-established, the microscopic understanding in each material system may vary. This book is a quick reference and a detailed roadmap starting from phenomenology and continuing with the ultimate low dimensional materials, in which the photogalvanic effects can offer a rich platform at the second-order response to an electric field. A general phenomenology of photogalvanic effect is provided in the first chapter, together with the photon drag effect which also generates a photocurrent like the photogalvanic effect, but with some distinct features, as well as somewhat puzzling similarities. Next two chapters explain these effects in graphene, starting with a necessary related background on graphene, then a particular focus on its specific phenomenology, microscopic theory, and experimental results. In a similar fashion, in chapters four and five, a necessary background for the photogalvanic effects in monolayer transition metal dichalcogenides, with symmetry analysis, microscopic theory, and experimental results is presented, along with the Berry curvature dependent photocurrent, which can also play an important role in 2D semiconductors. The second-order photogalvanic effects that have been covered so far in graphene and monolayer transition metal chalcogenides have already excited the 2D semiconductor optoelectronic research community by several means. It seems that the interests on the photogalvanic effects will continue to escalate in near future.
商品描述(中文翻譯)
本書強調低維度、表面和界面上的光電效應,特別是2D材料,如石墨烯和單層過渡金屬二硫化物。儘管光電效應的現象學已經建立得相當完善,這些效應可以簡單地視為對電場的非線性光響應,但每種材料系統的微觀理解可能有所不同。本書是一本快速參考指南和詳細的路線圖,從現象學開始,然後深入探討最終的低維度材料,其中光電效應可以在對電場的二次響應中提供豐富的平台。第一章提供了光電效應的一般現象學,並介紹了光子拖曳效應,該效應也會產生類似光電效應的光電流,但具有一些明顯的特徵以及某些令人困惑的相似性。接下來的兩章解釋了這些效應在石墨烯中的表現,首先提供了與石墨烯相關的必要背景,然後特別關注其具體的現象學、微觀理論和實驗結果。以類似的方式,在第四和第五章中,介紹了單層過渡金屬二硫化物中光電效應的必要背景,包括對稱性分析、微觀理論和實驗結果,並探討了依賴於Berry曲率的光電流,這在2D半導體中也可能扮演重要角色。迄今為止在石墨烯和單層過渡金屬硫化物中涵蓋的二次光電效應已經以多種方式激發了2D半導體光電研究社群的興趣。看來對光電效應的關注在不久的將來將持續上升。
作者簡介
作者簡介(中文翻譯)
穆斯塔法·埃金利吉爾(Mustafa Eginligil)是中國南京的南京科技大學(Nanjing Tech University)柔性電子學院(Future Technologies)先進材料研究所的教授,並且是江蘇省的外籍專家。他於2010年在美國紐約州立大學水牛城分校獲得物理學博士學位,研究主題為II-VI和III-V磁性摻雜半導體的磁性特性。隨後,他於2010年6月加入新加坡國立大學電機與計算機工程系擔任博士後研究員,專注於拓撲絕緣體和鈣鈦礦材料的研究。2012年,他轉至新加坡南洋理工大學(Nanyang Technological University, NTU)物理與應用物理系擔任研究員,研究二維材料、異質結構和拓撲絕緣體的磁性和光電特性。自2015年12月以來,他在南京科技大學擔任正教授,並於2016年被選為江蘇省百人計畫獲獎者、2017年江蘇省六大人才高峰獲獎者,以及2021年南京科技大學人才大使。他目前的研究興趣包括物理和化學中的手性和對稱性;用於記憶和感測應用的二維材料光電學;以及能量收集材料及相關設備應用。
余婷(Yu Ting)是中國武漢大學物理與技術學院的教授,國家重點研發計畫「納米前沿」的首席科學家。她於2003年在新加坡國立大學獲得博士學位,並於2005年在完成博士後研究後加入南洋理工大學,成為新加坡千禧博士後獎學金獲得者,並於2017年晉升為南洋理工大學的正教授(終身職位)。余博士獲得了多項著名獎項,包括南洋卓越研究與創新獎(2008年)、國家青年科學家獎、國家研究基金會獎學金(2009年)、第三屆國際學術院/世界經濟論壇(夏季達沃斯論壇)傑出青年科學家(新加坡代表,2010年)以及新加坡物理學會納米技術獎(2011年)等。她的研究興趣涵蓋低維度,特別是二維材料的製備,以及其光學、光電和光磁特性的研究,以開發新型電子學、光電學和數據存儲設備。余博士已發表超過300篇SCI論文,並獲得超過30,000次非自引文獻引用。她的H指數為103。