超大型集成電路先進光刻理論與應用

光刻技術是所有微納器件製造的核心技術。在積體電路製造中，正是由於光刻技術的不斷提高才使得摩爾定律得以繼續。本書覆蓋現代光刻技術的重要方面，包括設備、材料、模擬（計算光刻）和工藝。在設備部分，對業界使用的主流設備進行剖析，介紹其原理結構、使用方法、和工藝參數的設置。在材料部分，介紹了包括光刻膠、抗反射塗層、抗水塗層、和使用旋圖工藝的硬掩膜等材料的分子結構、使用方法，以及必須達到的性能參數。本書按照模擬技術發展的順序，系統介紹基於經驗的光學鄰近效應修正、基於模型的光學鄰近效應修正、亞曝光解析度的輔助圖形、光源-掩模版共優化技術和反演光刻技術。如何控制套刻精度是光刻中公認的技術難點，本書有一章專門討論曝光對準系統和控制套刻精度的方法。另外，本書特別介紹新光刻工藝研究的方法論、光刻工程師的職責，以及如何協調各方資源保證研發進度。