III-V Compound Semiconductors and Devices: An Introduction to Fundamentals
暫譯: III-V 化合物半導體與器件：基礎入門
Cheng, Keh Yung
買這商品的人也買了...
-
HSpice 積體電路設計分析與模擬導論, 3/e$710$675 -
$421SiC/GaN 功率半導體封裝和可靠性評估技術 -
功率半導體封裝技術$768$730 -
$505垂直型 GaN 和 SiC 功率器件
商品描述
Preface
PART I SEMICONDUCTOR FUNDAMENTALS
Chapter 1. Introduction
1.1 Historical Perspective
1.2 Future outlooks
Chapter 2. Atomic bonding and crystal structure
2.1 Crystal structures and symmetry
2.2 Ionic bond and inter-atomic forces
2.3 Covalent bond and sp3 hybrid orbit
2.4 Major semiconductor crystal structures
2.5 Reciprocal lattice, diffraction condition, and Brillouin zone
Chapter 3. Electronic band structures of solids
3.1 Free electron theory and density of states
3.2 Periodic crystal structures and Bloch's theorem
3.3 Nearly free-electron approximation and energy gap
3.4 The Kronig-Penney model
3.5 Effective mass
3.6 Band structures of common semiconductors
PART II. COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIALS
Chapter 4. Compound semiconductor crystals
4.1 Structural properties
4.2 Electrical properties
4.3 Free carrier concentration and Fermi integral
4.4 Surface states in compound semiconductors
4.5 III-V compound semiconductors
4.6 III-N and dilute III-V-N compound semiconductors
Chapter 5. Material technologies
5.1 Growth of bulk crystals
5.2 Epitaxy
5.3 Liquid phase epitaxy
5.4 Vapor phase epitaxy
5.5 Molecular beam epitaxy
PART III. PROPERTIES OF HETEROSTRUCTURES
Chapter 6. Heterostructure fundamentals
6.1 Energy band alignment
6.2 Strained layer structures
6.3 Strain effect on band-edge energies
6.4 Band-edge energies in strained ternary and quaternary alloys
6.5 Stained nitrides with wurtzite crystal structure
6.6 Construction of heterostructure band diagrams
Chapter 7. Electrical properties of compound semic
商品描述(中文翻譯)
前言
第一部分 半導體基礎
第一章 介紹
1.1 歷史觀點
1.2 未來展望
第二章 原子鍵結與晶體結構
2.1 晶體結構與對稱性
2.2 離子鍵與原子間力
2.3 共價鍵與 sp3 混成軌道
2.4 主要半導體晶體結構
2.5 倒格子、衍射條件與布里淵區
第三章 固體的電子能帶結構
3.1 自由電子理論與態密度
3.2 週期性晶體結構與布洛赫定理
3.3 幾乎自由電子近似與能隙
3.4 克羅尼希-佩尼模型
3.5 有效質量
3.6 常見半導體的能帶結構
第二部分 化合物半導體材料
第四章 化合物半導體晶體
4.1 結構性質
4.2 電性質
4.3 自由載流子濃度與費米積分
4.4 化合物半導體中的表面態
4.5 III-V 化合物半導體
4.6 III-N 及稀釋 III-V-N 化合物半導體
第五章 材料技術
5.1 大塊晶體的生長
5.2 外延生長
5.3 液相外延
5.4 氣相外延
5.5 分子束外延
第三部分 異質結構的性質
第六章 異質結構基礎
6.1 能帶對齊
6.2 應變層結構
6.3 應變對能帶邊緣能量的影響
6.4 應變三元和四元合金中的能帶邊緣能量
6.5 具有纖鋅礦晶體結構的應變氮化物
6.6 異質結構能帶圖的構建
第七章 化合物半導體的電性質
作者簡介
Keh-Yung Norman Cheng received his Ph.D. degree from Stanford University in 1975 and currently is the Dean of the College of Electrical Engineering and Computer Science at the National Tsing Hua University. In 1979-81 he was a member of Technical Staff at AT&T Bell Laboratories, Murray Hill, New Jersey. Since 1987 he was a professor in the Department of Electrical and Computer Engineering at the University of Illinois at Urbana-Champaign. He became an emeritus professor in August 2010 and joined the Electrical Engineering Department of the National Tsing Hua University in Taiwan. His special fields of interest are molecular beam epitaxy (MBE), compound semiconductor optoelectronic, and nanostructure device technologies. He has authored or coauthored over 400 journal and conference papers, and two book chapters. He is a Fellow of IEEE and AAAS, and a recipient of the 2007 MBE Innovator Award.
作者簡介(中文翻譯)
鄭克勇於1975年獲得史丹佛大學的博士學位，目前擔任國立清華大學電機工程與計算機科學院院長。1979年至1981年間，他是AT&T貝爾實驗室（Bell Laboratories）技術人員，位於新澤西州的穆雷希爾（Murray Hill）。自1987年起，他在伊利諾伊大學香檳分校的電機與計算機工程系擔任教授。2010年8月，他成為名譽教授，並加入國立清華大學的電機工程系。他的專業興趣領域包括分子束外延（molecular beam epitaxy, MBE）、化合物半導體光電技術及奈米結構裝置技術。他已發表或共同發表超過400篇期刊和會議論文，以及兩章書籍。他是IEEE和美國科學促進會（AAAS）的會士，並獲得2007年MBE創新獎。
.jpg)
