Long-wavelength Infrared Semiconductor Lasers (Hardcover)
暫譯: 長波長紅外半導體雷射（精裝版）

Hong K. Choi

Long-wavelength Infrared Semiconductor Lasers (Hardcover)
  • 出版商: Wiley
  • 出版日期: 2004-03-18
  • 售價: $1,150
  • 貴賓價: 9.8 折 $1,127
  • 語言: 英文
  • 頁數: 395
  • 裝訂: Hardcover
  • ISBN: 0471392006
  • ISBN-13: 9780471392002
  • 相關分類: 半導體

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商品描述

Description:

The first comprehensive treatment of long-wavelength laser technology

Because of very strong molecular absorption between 2 mm to 1000 mm, compact semiconductor lasers in this spectral range are ideal components for a wide variety of applications ranging from ultra-sensitive detection of molecules, to the study of fine structures of molecules, to studies of the origin of the universe. However, because of the very rapid progress made in these long-wavelength semiconductor lasers in recent years, no comprehensive information covering the entire field has been available up to this point.

Long-Wavelength Infrared Semiconductor Lasers fills the need for a reference that covers the vast scope of coherent semiconductor sources that emit in this important spectral region. Written by today’s foremost experts in the field, the book covers the latest knowledge in the areas of:

  • Quantum cascade lasers
  • Interband mid-infrared lasers fabricated from InGaAs,antimonides, and lead-salt materials
  • Hot-hole lasers
  • Photomixers

Researchers, application engineers, graduate students, and others who develop mid- to far-infrared emitters and use them for spectroscopy, astrophysics, environmental monitoring, and process control will find Long-Wavelength Infrared Semiconductor Lasers a necessary resource.

 

 

Table of Contents:

Preface.

Acknowledgments.

Contributors.

1. Coherent Sources in the Long-Wavelength Infrared Spectrum (Hong K. Choi).

1.1 Introduction.

1.2 Synopsis of Long-Wavelength Coherent Sources.

1.3 Scope of Book.

2. 2-µm Wavelength Lasers Employing InP-based Strained-Layer Quantum Wells (Manabu Mitsuhara and Mamoru Oishi).

2.1 Introduction.

2.2 Material Properties of InGaAsP.

2.3 Design Consideration of MQW Active Region.

2.4 Growth and Characterization of Strained-InGaAs Quantum Wells.

2.5 Lasing Characteristics of 2-µm wavelength InGaAs-MQW Lasers.

2.6 Conclusions and Future Prospects.

3. Antimonide Mid-IR Lasers (L.J. Olafsen, et al.).

3.1 Introduction.

3.2 Antimonide III-V Material System.

3.3 Antimonide Lasers Emitting in the 2µm < λ < 3µm Range.

3.4 Antimonide Lasers Emitting in the λ ≥ 3µm Range.

3.5 Challenges and Issues.

3.6 Conclusions.

4. Lead-Chalcogenide-based Mid-Infrared Diode Lasers (Uwe Peter Schieál, et al.).

4.1 Introduction.

4.2 Homostructure Lasers.

4.3 Double-Heterostructure Lasers.

4.4 Quantum-Well Lasers.

4.5 DFB and DBR Lasers.

4.6 IV-VI Epitaxy on BaF2 and Silicon.

4.7 Conclusion.

5. InP and GaAs-Based Quantum Cascade Lasers (Jérôme Faist and Carco Sirtori).

5.1 Introduction.

5.2 Quantum Cascade Laser Fundamentals.

5.3 Fundamentals of the Three-Quantum-Well Active-Region Device.

5.4 Waveguide and Technology.

5.5 High-Power, Room-Temperature Operation of Three-Quantum-Well Active Region Designs.

5.6 GaAs-Based QC Lasers.

5.7 Role of the Conduction-Band Discontinuity.

5.8 Spectral Characteristics of QC Lasers.

5.9 Distributed Feedback Quantum Cascade Lasers.

5.10 Microsctructured QC Lasers.

5.11 Outlook on Active Region Designs and Conclusions.

6. Widely Tunable Far-Infrared Hot-Hole Semiconductor Lasers (Erik Bründermann).

6.1 Introduction.

6.2 Hot-Hole Laser Model.

6.3 Laser Material Fabrication.

6.4 Technology.

6.5 Laser Emission.

6.6 Future Trends.

6.7 Summary.

7. Continous THz generation with Optical Heterodyning (J. C. Pearson, et al.).

7.1 Introduction.

7.2 Requirements for Photomixing Systems.

7.3 Design Trade-offs for Photomixers.

7.4 Antenna Design.

7.5 Applications.

7.6 Summary.

Index.

商品描述(中文翻譯)

描述：

這是對長波長激光技術的首次全面探討。

由於在2毫米到1000毫米之間的分子吸收非常強，這一光譜範圍內的緊湊型半導體激光器是各種應用的理想組件，從超靈敏的分子檢測到分子精細結構的研究，再到宇宙起源的研究。然而，由於近年來在這些長波長半導體激光器方面的快速進展，迄今為止尚未有涵蓋整個領域的綜合信息。

《長波長紅外半導體激光器》滿足了對於涵蓋在這一重要光譜區域內發射的相干半導體源的參考資料的需求。本書由當今該領域的頂尖專家撰寫，涵蓋了以下領域的最新知識：

- 量子級聯激光器
- 由InGaAs、反銻化物和鉛鹽材料製造的中紅外激光器
- 熱孔激光器
- 光混合器

研究人員、應用工程師、研究生以及其他開發中至遠紅外發射器並將其用於光譜學、天體物理學、環境監測和過程控制的人士，將會發現《長波長紅外半導體激光器》是必不可少的資源。

目錄：

前言。

致謝。

貢獻者。

1. 長波長紅外光譜中的相干源（Hong K. Choi）。

1.1 介紹。

1.2 長波長相干源的概要。

1.3 本書的範圍。

2. 使用基於InP的應變層量子井的2微米波長激光器（Manabu Mitsuhara 和 Mamoru Oishi）。

2.1 介紹。

2.2 InGaAsP的材料特性。

2.3 MQW主動區的設計考量。

2.4 應變InGaAs量子井的生長與特徵化。

2.5 2微米波長InGaAs-MQW激光器的激光特性。

2.6 結論與未來展望。

3. 反銻化物中紅外激光器（L.J. Olafsen 等）。

3.1 介紹。

3.2 反銻化物III-V材料系統。

3.3 在2微米 < λ < 3微米範圍內發射的反銻化物激光器。

3.4 在λ ≥ 3微米範圍內發射的反銻化物激光器。

3.5 挑戰與問題。

3.6 結論。

4. 基於鉛硫化物的中紅外二極體激光器（Uwe Peter Schieál 等）。

4.1 介紹。

4.2 同質結構激光器。

4.3 雙異質結構激光器。

4.4 量子井激光器。

4.5 DFB和DBR激光器。

4.6 在BaF2和矽上的IV-VI外延生長。

4.7 結論。

5. 基於InP和GaAs的量子級聯激光器（Jérôme Faist 和 Carco Sirtori）。

5.1 介紹。

5.2 量子級聯激光器的基本原理。

5.3 三量子井主動區裝置的基本原理。

5.4 波導與技術。

5.5 三量子井主動區設計的高功率、室溫操作。

5.6 基於GaAs的QC激光器。

5.7 導電帶不連續性的作用。

5.8 QC激光器的光譜特性。

5.9 分佈式反饋量子級聯激光器。

5.10 微結構QC激光器。

5.11 主動區設計的展望與結論。

6. 廣泛可調的遠紅外熱孔半導體激光器（Erik Bründermann）。

6.1 介紹。

6.2 熱孔激光器模型。

6.3 激光材料製造。

6.4 技術。

6.5 激光發射。

6.6 未來趨勢。

6.7 總結。

7. 通過光學雜頻實現連續THz產生（J. C. Pearson 等）。

7.1 介紹。

7.2 光混合系統的要求。

7.3 光混合器的設計權衡。

7.4 天線設計。

7.5 應用。

7.6 總結。

索引。

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