半導體量測理論與實務

<本書特色>

　　本書蒐集與整理多種實用半導體量測工具理論，包括四點探針量測、半導體電容電壓量測、霍爾量測與半導體少數載子量測，並探討半導體量測實務操作時必須考量的各種效應，再經由作者詳細的數學推演與物理解析，將半導體量測理論融合量測實務，期提供從事半導體量測技術人員參考，同時也可作為大專院校相關科系師生的參考用書，本書各章節特色敘述如下。
第一章 四點探針量測
　　除介紹基本四點探針量測理論之外，探討實務量測時四點探針間距與電阻係數之間的關係，以及四點探針在待測晶片上位置不同時，必須加入的修正因素值，並介紹多種非線性四點探針原理。
第二章 半導體電容電壓量測
　　介紹如何利用MOS結構量測待測半導體薄膜的載子特性，書中具有詳細數學推演與物理解析，並分析該MOS量測結構的電容性等效電路中電容與電壓的關係，另外，也介紹實務量測時所發生的幾種量測效應，最後，介紹如何使用數值分析法推演該量測中電容與電壓的關係。
第三章 霍爾量測
　　本書除了介紹基本霍爾量測理論之外，利用霍爾量測混合模式理論，推演各種半導體材料特性霍爾量測特性，將載子移洞率變數導入霍爾量測實務，探討載子移洞率如何影響載子型態。另外，介紹如何利用不同磁場與電流實務設計，解決霍爾量測時所面臨的雜訊問題。
第四章 半導體少數載子量測
　　除了介紹如何利用基本光電原理量測半導體的少數載子特性之外，書中具有各種半導體少數載子特性量測的詳細數學推演與物理解析，包含少數載子濃度與時間變數關係的量測，少數載子濃度擴散與位置變數關係的量測，少數載子濃度表面再結合效應與位置變數關係的量測，以及少數載子濃度受時間與位置雙變數影響的量測分析。

<作者簡介>

楊誌欽
學歷：國立中山大學電機工程學系博士
現職：國立高雄海洋科技大學微電子工程系副教授
經歷：考選部全國性公務人員電子工程職系考試及格、國立高雄海洋科技大學微電子工程系主任、國立高雄海洋科技大學半導體技術學程副教授
學術專長：半導體量測技術、半導體生醫感測、半導體微波元件

<本書目錄>

第一章 四點探針量測
第二章 半導體電容電壓量測
第三章 半導體霍爾效應量測
第四章 半導體少數載子量測