基於氮化鎵的高頻高效功率轉換技術

本書共8章，主要內容包括GaN體單晶襯底和Si基GaN外延、橫向GaN基HEMT器件及其結構、垂直型GaN基電力電子晶體管、GaN基功率器件的可靠性、GaN基功率器件的魯棒性驗證、寄生效應對GaN基功率轉換器的影響、GaN基AC/DC功率轉換器、GaN基開關模式功率放大器等。本書內容涵蓋範圍廣，從材料生長到器件制造、從特性分析到魯棒性驗證、從電路設計到系統應用，層次清晰且系統性較強，可讀性較高；其內容具有一定的前瞻性與先進性，所涉及的技術領域與工藝水平均為目前國際主流。
本書可作為微電子、電子信息工程、電氣工程等專業的本科生以及相關專業的研究生教材，也可以供從事半導體器件設計、器件可靠性分析、電力電子系統開發的工程技術人員參考。