現代積體電路製造技術 Integrated Circuit Fabrication
Kumar Shubham，Ankaj Gupta 譯者石廣豐//張景然
- 出版商: 化學工業
- 出版日期: 2024-08-01
- 售價: $768
- 貴賓價: 9.5 折 $730
- 語言: 簡體中文
- 頁數: 252
- 裝訂: 精裝
- ISBN: 7122454819
- ISBN-13: 9787122454812
- 此書翻譯自: Integrated Circuit Fabrication
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商品描述
本書詳細介紹了半導體晶片製造中的晶片製備、外延、氧化、光刻、蝕刻、擴散、
離子注入、薄膜沉積、封裝以及VLSI製程整合等內容，涵蓋了積體電路製造流程中主要步驟。
本書圖文並茂，內容全面，理論與實務緊密結合，
有助於從事積體電路和半導體相關工作的技術人員迅速了解積體電路製造技術的關鍵流程。本書可供半導體製造領域從業人員閱讀，也可供大學微電子、積體電路等相關專業教學參考。
目錄大綱
第1章 矽（Si）晶片處理概論
1.1 簡介
1.2 超大規模積體電路的產生
1.3 潔淨室
1.4 半導體材料
1.5 晶體結構
1.6 晶體缺陷
1.7 矽的屬性及其純化
1.8 單晶矽製造
1.8.1 直拉法晶體生長技術
1.8.2 區熔技術
1.9 矽整形
1.10 芯片加工注意事項
1.11 本章小結
習題
參考文獻
第2章 外延
2.1 簡介
2.2 液相外延
2.3 氣相外延/化學氣相沉積
2.3.1 生長模型及理論
2.3.2 生長化學
2.3.3 摻雜
2.3.4 反應裝置
2.4 缺陷
2.5 化學氣相沉積矽外延的技術問題
2.5.1 均勻性/質量
2.5.2 埋層圖案轉移
2.6 自摻雜
2.7 選擇性外延
2.8 低溫外延
2.9 物理氣相沉積
2.10 絕緣體上矽（SOI）
2.11 藍寶石上矽（SOS）
2.12 二氧化矽基矽
2.13 本章小結
習題
參考文獻
第3章 氧化
3.1 簡介
3.2 生長和動力學
3.2.1 乾法氧化
3.2.2 濕式氧化
3.3 矽氧化層的生長速率
3.4 雜質對氧化速率的影響
3.5 氧化層性質
3.6 氧化層電荷
3.7 氧化技術
3.8 氧化層厚度測量
3.9 氧化爐
3.10 本章小結
習題
參考文獻
第4章 光刻
4.1 簡介
4.2 光學光刻
4.3 接觸式光學光刻
4.4 接近式光學光刻
4.5 投影式光學光刻
4.6 掩模
4.7 光掩模製造
4.8 相移掩模
4.9 光阻
4.10 圖案轉移
4.11 基於粒子的光刻
4.11.1 電子束光刻
4.11.2 電子物質相互作用
4.12 離子束光刻
4.13 紫外光刻
4.14 X射線光刻
4.15 光刻技術的比較
4.16 本章小結
習題
參考文獻
第5章 蝕刻
5.1 簡介
5.2 蝕刻參數
5.3 濕蝕刻製程
5.4 矽蝕刻
5.5 二氧化矽蝕刻
5.6 鋁蝕刻
5.7 乾蝕刻製程
5.8 等離子蝕刻工藝
5.8.1 等離子化學蝕刻工藝
5.8.2 濺鍍蝕刻工藝
5.8.3 反應離子蝕刻（RIE）工藝
5.9 電感耦合等離子體蝕刻（ICP）
5.10 乾式蝕刻（等離子蝕刻）和濕式蝕刻的優缺點
5.11 蝕刻反應實例
5.12 剝離
5.13 本章小結
習題
參考文獻
第6章 擴散
6.1 簡介
6.2 擴散的原子機制
6.2.1 置換擴散
6.2.2 間隙擴散
6.3 菲克擴散定律
6.4 擴散分佈
6.4.1 恆定源濃度分佈
6.4.2 有限源擴散或高斯擴散
6.5 兩步擴散工藝
6.5.1 本徵和非本徵擴散
6.5.2 銻在矽中的擴散率
6.5.3 砷在矽中的擴散速率
6.5.4 硼在矽中的擴散速率
6.5.5 磷在矽中的擴散率
6.6 射極推進效應
6.7 場輔助擴散
6.8 擴散系統
6.9 氧化物掩模
6.10 氧化物生長過程中的雜質再分佈
6.11 橫向擴散
6.12 多晶矽中的擴散
6.13 測量技術
6.13.1 染色
6.13.2 電容電壓（C-V）圖
6.13.3 四探針（FPP）
6.13.4 二次離子質譜（SIMS）
6.13.5 擴展電阻探針（SRP）
6.14 本章小結
習題
參考文獻
第7章 離子注入
7.1 簡介
7.2 離子注入機
7.2.1 氣體系統
7.2.2 馬達系統
7.2.3 真空系統
7.2.4 控制系統
7.2.5 射線系統
7.3 離子注入阻止機制
7.4 離子注入的射程與分佈
7.5 掩模厚度
7.6 離子注入摻雜輪廓
7.7 退火
7.7.1 爐內退火
7.7.2 快速熱退火（RTA）
7.8 淺結形成
7.8.1 低能量注入
7.8.2 斜離子束
7.8.3 矽化物與多晶矽注入
7.9 高能量注入
7.10 埋層絕緣層
7.11 本章小結
習題
參考文獻
第8章 薄膜沉積：電介質、多晶矽和金屬化
8.1 簡介
8.2 物理氣相沉積（PVD）
8.2.1 蒸發
8.2.2 濺射
8.3 化學氣相沉積（CVD）
8.4 二氧化矽
8.5 氮化矽
8.6 多晶矽
8.7 金屬化處理
8.8 金屬化技術在VLSI的應用
8.9 金屬化選擇
8.10 銅金屬化
8.11 鋁金屬化
8.12 金屬化工藝
8.13 沉積方法
8.14 沉積裝置
8.15 剝離過程
8.16 多層金屬化
8.17 金屬薄膜的特性
8.18 本章小結
習題
參考文獻
第9章 封裝
9.1 簡介
9.2 封裝類型
9.3 封裝設計注意事項
9.4 積體電路封裝
9.5 VLSI組裝技術
9.6 良品率
9.7 本章小結
習題
參考文獻
第10章 VLSI製程集成
10.1 簡介
10.2 IC加工的基本考慮
10.3 nMOS積體電路技術
10.4 CMOS積體電路技術
10.4.1 n阱工藝
10.4.2 p阱工藝
10.4.3 雙阱工藝
10.5 雙極IC技術
10.6 Bi-CMOS工藝
10.7 Bi-CMOS製造
10.8 鰭式場效電晶體（FinFET）
10.9 單晶片積體電路與混合積體電路
10.10 積體電路製造/生產
10.1
