雷達與通信系統收發組件技術
Rick Sturdivant,Mike Harris 譯者 程宇峰
- 出版商: 國防工業
- 出版日期: 2022-08-01
- 售價: $768
- 貴賓價: 9.5 折 $730
- 語言: 簡體中文
- 頁數: 198
- 裝訂: 精裝
- ISBN: 7118125121
- ISBN-13: 9787118125122
立即出貨 (庫存=1)
買這商品的人也買了...
-
$480$432 -
$630$599 -
$340$333 -
$520$510 -
$560$549 -
$420$357 -
$650$507 -
$590$578 -
$450$405 -
$500$490 -
$594$564 -
$348$331 -
$470$423 -
$659$626 -
$450$405 -
$479$455 -
$403雷達通信一體化系統射頻隱身技術
-
$720$569 -
$660$515 -
$653雷達目標檢測與恆虛警處理, 3/e
-
$588$559 -
$388$349 -
$380$342 -
$520$510 -
$420$378
相關主題
商品描述
本書濃縮了近30年來射頻前端技術的應用研究和開發經驗。
在某種程度上,編者之所以寫這本書,是因為編者開設了一門以T/R組件為對象的專業教育課程。
本書通過以下方面對T/R組件進行全面論述:雷達與通信系統中的相控陣介紹,
T/R組件及其元器件,單片微波集成電路(MMIC),T/R組件封裝,射頻互連材料,
T/R組件熱管理,MMIC和T/R組件製造、測試、成本和下一代T/R組件技術。
目錄大綱
第1章相控陣
1.1 雷達與通信系統中的相控陣
1.2 天線
1.3 天線方向圖和線陣
1.4 電掃天線
1.5 雷達探測方程
1.6 氣象雷達方程
1.7 通信系統中的相控陣
1.8 小結
習題
參考文獻
第2章T/R組件
2.1 T/R組件概述
2.2 T/R組件早期開發工作
2.3 基於MMIC的T/R組件
2.4 T/R組件的性能要求
2.5 T/R組件元器件
2.5.1 T/R開關
2.5.2 移相器
2.5.3 衰減器
2.5.4 多功能芯片
2.5.5 驅動放大器
2.5.6 功率放大器
2.5.7 環行器/雙工器
2.5.8 限幅器或接收保護電路
2.5.9 低噪聲放大器
2.6 組件控制和電源
2.7 小結
習題
參考文獻
第3章T/R組件中的半導體
3.1 引言
3.2 半導體材料
3.2.1 砷化鎵
3.2.2 異質材料
3.2.3 碳化矽
3.2.4 氮化鎵
3.2.5 磷化銦
3.2.6 鍺矽
3.3 射頻半導體晶圓製造流程
3.3.1 隔離
3.3.2 歐姆接觸
3.3.3 柵製作
3.3.4 介質沉積
3.3.5 電鍍
3.3.6 空氣橋
3.4 有源器件
3.4.1 GaAs MESFlET
3.4.2 GaAs PHEMT
3.4.3 GaN HEMT
3.5 MMIC
3.6 小結
習題
參考文獻
第4章T/R組件的信號完整性問題
4.1 引言
4.2 芯片級互連
4.2.1 引線鍵合方法
4.2.2 引線鍵合模型
4.2.3 倒裝芯片方法
4.3 封裝/模塊級互連
4.3.1 模塊級互連
4.3.2 SMT封裝互連
4.4 傳輸線互連
4.5 互連間的耦合
4.6 垂直過渡互連
4.7 組件級諧振
4.8 小結
習題
參考文獻
第5章T/R組件的材料
5.1 引言
5.2 電氣參數和測試
5.2.1 介電常數
5.2.2 損耗角正切值
5.2.3 介電常數和損耗角正切值的測量
5.2.4 金屬電導率
5.3 機械參數
5.3.1 熱導率
5.4 陶瓷材料
5.4.1 薄膜陶瓷
5.4.2 厚膜陶瓷
5.4.3 熱增強厚膜工藝
5.4.4 高溫共燒陶瓷
5.4.5 低溫共燒陶瓷
5.5 層壓封裝
5.5.1 層壓板製造
5.5.2 高性能層壓材料
5.5.3 液晶聚合物
5.5.4 MCM-L層壓板多芯片組件
5.6 小結
習題
參考文獻
第6章T/R組件的散熱問題及其解決方案
6.1 引言
6.2 高功率放大器芯片的熱流密度
6.3 放大器效率和熱損耗
6.4 熱阻和器件結溫
6.5 T/R組件中器件散熱示例
6.6 可靠性計算
6.7 應用於T/R組件的金剛石基GaN高功率放大器
6.8 sPIcE熱仿真
6.9 熱測量
6.9.1 電測法
6.9.2 光學測量法
6.9.3 採用液晶熱像儀進行溫度測量
6.9.4 使用替代驗證芯片進行熱設計
6.10 小結
習題
參考文獻
第7章MMIC製造和T/R組件製造
7.1 引言
7.2 MMIC製造
7.2.1 MMIC廠房
7.2.2 MMIC製造工藝
7.2.3 MMIc晶圓代工程序
7.3 T/R組件製造
7.3.1 T/R組件製造廠房
7.3.2 T/R組件製造工藝
7.4 小結
習題
參考文獻
第8章MMIC和T/R組件測試
8.1 引言
8.2 MMIC測試
8.2.1 來料檢測
8.2.2 過程中檢測
8.2.3 片上射頻性能測試
8.2.4 MMIC篩選測試
8.2.5 MMIC可靠性測試
8.3 T/R組件技術參數
8.4 T/R組件測試
8.4.1 關鍵電性能參數
8.4.2 x波段T/R組件關鍵參數要求示例
8.4.3 自動測試系統
8.5 小結
習題
參考文獻
第9章MMIC和T/R組件成本
9.1 引言
9.2 MMIC成本
9.2.1 MMIC晶圓製造成本
9.2.2 晶圓製造工藝成品率
9.2.3 晶圓直徑對MMIC成本的影響
9.2.4 MMIc製造設施負荷對成本的影響
9.2.5 基於面積或輸出功率的MMIC成本
9.3 T/R組件成本
9.4 降低成本
9.4.1 降低MMIC成本
9.4.2 減少T/R組件成本
9.5 小結
習題
參考文獻
第10章下一代T/R組件
10.1 引言
10.2 單芯片T/R組件
10.3 晶圓級相控陣
10.4 si—CMOS:成本最低的單芯片T
10.5 數字波束形成
10.6 混合數字/模擬波束形成
10.7 波束切換和巴特勒矩陣相控陣
10.8 T/R組件的高度集成度封裝
10.9 低成本系統的途徑:開放式架構
10.10 小結
習題
參考文獻