CMOS納米電子學 模擬和射頻超大規模集成電路

克日什托夫·伊涅夫斯基（Krzysztof Iniewski），博士，Redlen技術公司研發主管，CMOS新興技術公司執行理事，資深電子工程師。他曾任加拿大阿爾伯塔大學電氣工程與計算機工程學院的副教授，主要研究低功耗無線電路與系統。他已經在國際期刊上發表了100多篇論文，擁有18項國際專利。

譯者序
前言
第一部分 射頻電路
第1章 模擬納米級CMOS電路2
1.1 引言2
1.2 柵漏電流對調節型共源共柵結構的影響4
1.3 用於65 nm CMOS DVB-H接收機的運算放大器6
1.4 采用65 nm CMOS工藝的電流模式濾波器9
1.5 低電源電壓下采用65 nm CMOS工藝的低延時比較器12
1.6 用於65 nm CMOS工藝直接轉換接收機的雙體混頻器16
1.7 總結18
致謝19
參考文獻19
第2章 無源混頻器收發機設計21
2.1 引言21
2.2 直接變頻接收機中的無源混頻器21
2.3 直接轉換發射機中的無源混頻器47
2.4 總結52
2.5 拓展A：共模和差模激勵53
2.6 拓展B：計算基帶中由基帶交流電壓激勵產生的基帶電流55
參考文獻57
第3章 利用包絡跟蹤技術設計用於寬帶無線應用的便攜式高效極坐標發射機60
3.1 引言60
3.2 極坐標發射機綜述61
3.3 使用ET/EER的RF極坐標發射機的系統設計注意事項64
3.4 基於ET的極坐標發射機的包絡放大器設計69
3.5 基於ET的極坐標發射機的單片飽和PA設計73
3.6 基於ET的極坐標發射機的系統測量和仿真結果74
3.7 總結82
致謝83
參考文獻83
第4章 全數字射頻信號發生器87
4.1 引言87
4.2 笛卡兒發射機結構88
4.3 用於數字發射機的高速單比特ΔΣ調制器設計90
4.4 單比特輸出開關級95
4.5 帶外濾波98
4.6 總結101
致謝101
參考文獻101
第5章 倍頻器設計：技巧和應用103
5.1 引言103
5.2 超高速計算和通信系統中的倍頻器103
5.3 倍頻器中的噪聲概念104
5.4 單晶體管倍頻器105
5.5 具有內部本振倍頻的混頻器107
5.6 奇數次倍頻器110
5.7 總結115
參考文獻115
第6章 可調諧CMOS射頻濾波器117
6.1 引言117
6.2 Q增強諧振器117
6.3 寬帶寬射頻濾波器122
6.4 自動調諧127
6.5 應用131
6.6 總結135
參考文獻135
第7章 CMOS功率放大器的功率混頻器138
7.1 引言138
7.2 功率放大器設計的注意事項138
7.3 功率混頻器143
7.4 設計實例146
7.5 總結150
參考文獻150
第8章 用於無線通信的GaAs HBT線性功率放大器設計153
8.1 引言153
8.2 線性功率放大器設計153
8.3 最新功率放大器技術166
8.4 總結177
參考文獻178
第二部分 高速電路
第9章 高速串行I/O設計用於信道受限和功率受限的系統184
9.1 引言184
9.2 高速鏈路概述185
9.3 信道受限設計技術193
9.4 低功耗設計技術196
9.5 光互連200
9.6 總結209
參考文獻210
第10章 基於CDMA的高速片對片通信串擾消除技術218
10.1 引言218
10.2 高速I/O鏈路中的電信號219
10.3 基於CDMA的串擾消除226
10.4 均衡和計時231
10.5 基於CDMA的四線信號收發機234
10.6 總結239
參考文獻240
第11章 高速串行數據鏈路的均衡技術242
11.1 高速串行數據鏈路基礎242
11.2 信道均衡245
11.3 均衡器調諧方案256
11.4 總結264
致謝264
參考文獻265
第12章 ΔΣ分數-N型鎖相環268
12.1 引言268
12.2 混合型有限沖激響應噪聲濾波方法273
12.3 實際電路設計示例276
12.4 總結285
參考文獻285
第13章 延遲鎖相環的設計與應用287
13.1 引言287
13.2 PLL與DLL287
13.3 DLL環路的動態特性288
13.4 DLL應用290
參考文獻303
第14章 納米級處理器和存儲器中的數字時鐘發生器306
14.1 引言306
14.2 數字時鐘發生器307
14.3 用於高性能處理器的時鐘發生器的設計方法313
14.4 高速DRAM應用中時鐘發生器的設計方法318
14.5 總結324
參考文獻324
第三部分 高精度電路
第15章 深亞微米CMOS技術中模擬電路的增益增強和低壓技術328
15.1 引言328
15.2 基本增益增強技術330
15.3 傳統運算放大器在fine-line技術中的比較331
15.4 基於fine-line技術的運算放大器增益提升方案334
15.5 使用部分正反饋和超級電壓跟隨器的增益提升338
15.6 低電壓技術340
15.7 總結343
參考文獻343
第16章 用於降低線性模擬CMOS集成電路低頻噪聲的互補開關MOSFET架構346
16.1 引言346
16.2 互補式MOSFET架構的原理348
16.3 對線性模擬CMOS集成電路的實現354
16.4 實驗驗證359
16.5 總結363
參考文獻363
第17章 具有基於軟件的校準方案的寬帶高分辨率200 MHz帶通ΣΔ調制器366
17.1 引言366
17.2 帶通ΣΔ架構367
17.3 基於軟件的校準方案377
17.4 實驗結果381
17.5 總結382
致謝382
參考文獻383
第18章 電力線通信系統的模/數轉換規範385
18.1 引言385
18.2 PLC環境中的OFDM調制386
18.3 流行的ADC架構395
18.4 基於整數除法的ADC架構398
18.5 總結402
參考文獻403
第19章 LCD的數/模轉換器405
19.1 引言405
19.2 電阻串DAC407
19.3 電阻電容DAC408
19.4 分段線性DAC409
19.5 帶極性反相器的面積效率R-DAC411
19.6 總結415
參考文獻416
第20章 1 V以下CMOS帶隙基準設計技術概述418
20.1 引言418
20.2 1 V以下CMOS帶隙基準的設計挑戰419
20.3 1 V以下CMOS帶隙基準的設計421
20.4 總結433
致謝433
參考文獻436