寬禁帶功率半導體封裝——材料、元件和可靠性

朱正宇,方幸泉,肖廣源

寬禁帶功率半導體封裝——材料、元件和可靠性
  • 出版商: 機械工業
  • 出版日期: 2024-10-01
  • 定價: $714
  • 售價: 8.5 折 $607
  • 語言: 簡體中文
  • 頁數: 203
  • ISBN: 7111763173
  • ISBN-13: 9787111763178
  • 相關分類: 半導體、材料科學 Meterials

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商品描述

本書是國外學者們對寬禁帶半導體封裝技術和趨勢的及時總結。首先，對寬禁帶功率器件的發展趨勢做了總結和預演判斷，講述寬禁帶功率半導體的基本原理和特性，包括其獨特的物理和化學屬性，以及它們在極端環境下的潛在優勢。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術和襯底展開論述，同時，介紹了磁性材料，並對不同材料結構的熱性能，以及冷卻技術和散熱器設計進行了介紹。然後，考慮到功率器件的質量必須通過各種測試和可靠性驗證方法來評估，還介紹了瞬態熱測試的原理和方法，同時闡述了各種可靠性測試的機理和選擇動機。最後，就計算機輔助工程模擬方法列舉了許多經典案例。通過本書的學習，讀者可以建立起寬禁帶功率半導體器件封裝的全面概念，為進一步深入研究打下基礎。本書可作為封裝或微電子等專業的高年級本科生和研究生的課程教材或課外閱讀材料，也可作為封裝開發和設計人員的參考書。

作者簡介

菅沼克昭，大阪大學產業科學研究所，大阪，日本。

目錄大綱

譯者序
貢獻者列表
第一部分 未來的前景
第1章 未來技術趨勢
1.1 電力電子系統的發展趨勢——對下一代功率器件的影響
1.1.1 Si基材料的功率器件的發展趨勢
1.1.2 總結和展望
1.2 未來的器件概念：基於SiC的功率器件
1.2.1 在4H-SiC上的單極功率半導體器件的研究進展
1.2.2 在4H-SiC上的雙極功率半導體器件的研究進展
1.3 基於GaN的功率器件
1.3.1 AlGaN/GaN-HFET作為一個GaN晶體管器件的概念
1.3.2 垂直GaN晶體管的概念
1.3.3 GaN-HFET器件對電力電子開關晶體管的好處
1.3.4 正常關斷GaN HFET
1.3.5 Si基GaN的外延和垂直隔離
1.3.6 橫向電壓關斷
1.3.7 色散效應和電壓關斷
1.3.8 開關速度
1.3.9 芯片集成
1.3.10 雙向晶體管
1.3.11 快速柵極驅動
1.3.12 在硬開關或軟開關拓撲中使用GaN
1.3.13 開關頻率超過1MHz
1.4 WBG功率器件及其應用
致謝
參考文獻
……
第二部分 基礎和材料
第三部分 元件
第四部分 性能測試和可靠性評估

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