圖解入門：功率半導體基礎與工藝精講 (原書第3版)

前言
詞語表述與閱讀方法說明
第1章功率半導體的全貌
1-1 功率半導體到底是什麼
1-2 把功率半導體比作人的身體
1-3 身邊的功率半導體
1-4 電子資訊產業中功率半導體的定位
1-5 半導體裝置中的功率半導體
1-6 電晶體構造的差異
第2章功率半導體的基本原理
2-1 半導體的基本原理
2-2 關於PN接面
2-3 電晶體的基本原理
2-4 雙極型電晶體的基本原理
2-5 MOS電晶體的基本原理
2-6 功率半導體的歷史回顧
2-7 功率型MOSFET的登場
專欄：單面與雙面
2-8 雙極型電晶體與MOSFET的結合－IGBT的登場
2-9 訊號轉換
第3章各種功率半導體的原理與作用
3-1 單嚮導通的二極體
3-2 大電流雙極型電晶體
3-3 雙向晶閘管
3-4 具有高速開關特性的功率型MOSFET
3-5 環保時代的IGBT
3-6 功率半導體主題的探討
第4章功率半導體的用途與市場
4-1 功率半導體的市場規模
4-2 電力基礎設施與功率半導體
4-3 交通工具與功率半導體
4-4 汽車與功率半導體
4-5 辦公室與功率半導體
4-6 家用電器與功率半導體
第5章功率半導體的分類
5-1 依用途分類
5-2 依材料分類
5-3 依構造、原理分類
5 -4 從額定參數看功率半導體
第6章用於功率半導體的矽片
6-1 矽片是什麼
6-2 矽片的製造方法與差異
6-3 FZ矽晶體的特性
6-4 FZ矽片為何重要
6-5 矽材料的局限
第7章功率半導體製造工藝的特點
7-1 功率半導體與集成電路的區別
7-2 器件構造的研究
7-3 外延生長法的廣泛應用
7-4 正反面曝光工藝
專欄：關於校準器的回憶
7-5 反面雜質激活
7-6 晶圓減薄製程
7-7 後段製程與前段製程的差異
7-8 切割製程的小差異
7-9 晶片鍵合製程的特性
7 -10 引線鍵合使用更寬的引線
7-11 封裝材料的不同
第8章功率半導體生產企業介紹
8-1 摩爾定律路線圖走到盡頭
專欄：路線圖就是領跑者
8-2 氣勢高漲的「日之丸」功率半導體
8-3 保持垂直統合模式的綜合性電氣企業
8-4 專業企業如何生存
8-5 歐洲生產企業是垂直統合模式嗎
專欄：以創始人名字命名的公司
8-6 美國企業的動向
第9章矽基功率半導體的發展
9-1 功率半導體的時代
9-2 IGBT所要求的性能
9-3 穿通與非穿通型IGBT
9-4 場截止型IGBT的登場
9-5 IGBT的發展趨勢探索
9 -6 功率半導體在智慧功率模組（IPM）的進展
9-7 冷卻與功率半導體
第10章挑戰矽極限的碳化矽與氮化鎵
10-1 8吋碳化矽晶圓的出現
10-2 碳化矽晶圓的製造方法
10-3 碳化矽的優點與研究主題有哪些
10-4 實用性不斷提升的碳化矽晶片
10-5 氮化鎵晶圓的難題－異質外延
10-6 氮化鎵的優點與挑戰
10-7 氮化鎵常閉型元件的挑戰
10-8 晶圓生產企業的動向
專欄：時代總是在循環
第11章功率半導體開拓的碳減排時代
11-1 碳減排時代與功率半導體
11-2 對再生能源不可或缺的功率半導體
11-3 智慧電網與功率半導體
11-4 電動車（EV）與功率半導體
11-5 21世紀交通基礎設施與功率半導體
11-6跨領域的功率半導體技術令人期待
專欄：基礎材料和核心元件
參考文獻