買這商品的人也買了...
-
半導體 IC 產品可靠度：統計、物理與工程, 2/e$450$405 -
Python 錦囊妙計, 3/e (Python Cookbook, 3/e)$880$695 -
三維 TCAD 模擬 CMOS 奈米電子元件 (3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices)$580$568 -
Perl 語言 IC 設計實踐$474$450 -
圖解入門 — 半導體製造工藝基礎精講 (原書第4版)$594$564 -
Unity UCU 國際認證應考攻略 (Artist/Programmer)$250$213 -
$505功率半導體器件封裝技術 -
圖解入門功率半導體基礎與工藝精講（原書第2版）$594$564 -
$551半導體簡史 -
圖解入門 — 半導體製造設備基礎與構造精講, 3/e$594$564 -
無線通信中的射頻收發系統設計$354$336 -
圖解電子電路：元件功能構成×設計手法×實做流程，實現未來科技的電子製作應用實務書$750$675 -
現代電子產品的核心 — 半導體與量子物理原來這麼簡單！$660$521 -
駕馭 ChatGPT 4: 探索 Azure OpenAI 與 Cognitive Service for Language 開發實踐 (使用.NET 與 Node.js)$650$455 -
$509基於BIM的Revit MEP 2022管線綜合設計從入門到精通 -
$964氮化物半導體技術 — 功率電子和光電子器件 -
Autodesk Revit Architecture ACU 國際認證應考攻略 (適用2021/2022/2023)$250$198 -
電子電路超入門：圖解電晶體、二極體、積體電路等資訊科技基礎知識$450$356 -
射頻功率放大器設計、模擬與實現$828$787 -
Python 技術手冊, 4/e (Python in a Nutshell: A Desktop Quick Reference, 4/e)$1,200$948 -
AI 時代從基本功下手 - 深入電腦底層運作原理$880$695 -
$505圖解入門：功率半導體基礎與工藝精講 (原書第3版) -
半導體器件缺陷與失效分析技術精講$594$564 -
圖解入門 — 半導體工作原理精講$594$564 -
功率半導體器件：封裝、測試和可靠性$834$792
相關主題
商品描述
本書改編自東芝株式會社內部培訓用書。
為了讓讀者理解以矽（Si）為中心的半導體元器件，筆者用了大量的圖解方式進行說明。
理解半導體元器件原理有效的圖，其實是能帶圖。
全書共7章，包括半導體以及MOS晶體管的簡單說明、半導體的基礎物理、
PN結二管、雙性晶體管、MOS電容器、MOS晶體管和超大規模集成電路器件。
在本書後，附加了常量表、室溫下（300K）的Si基本常量、MOS晶體管、麥克斯韋玻爾茲曼分佈函數、
關於電子密度n以及空穴密度p的公式、質量作用定律、PN結的耗盡層寬度、載流子的產生與復合、小信號下的共發射電路的電流放大倍數、
帶隙變窄以及少數載流子遷移率、閾值電壓Vth、關於漏電流ID飽和的解釋。
本書主要面向具有高中數理基礎的半導體初學者，也可供半導體、芯片從業者閱讀。
目錄大綱
前言
第1章 半導體以及MOS晶體管的簡單說明/
1.1半導體的歷史/
1.2半導體的概述/
1.3MOS晶體管的概述/
習題/
習題解答/
第2章 半導體的基礎物理/
2.1能帶/
2.1.1電子是粒子還是波/
2.1.2非連續的能級/
2.1.3能帶（連續能級）/
2.2費米統計與半導體/
2.2.1費米-狄拉克分佈函數/
2.2.2絕緣體、半導體、金屬的區別/
2.2.3本徵半導體/
2.2.4N型以及P型半導體/
2.3電中性條件以及質量作用定律/
2.3.1電中性條件/
2.3.2質量作用定律/
2.3.3電子與空穴的密度/
2.4擴散與漂移/
2.4.1擴散電流/
2.4.2漂移電流/
2.4.3電子與空穴的電流密度/
2.5靜電場的基本公式/
2.5.1靜電場的基本公式/
2.5.2電荷密度、電場、電動勢的圖解/
習題/
習題解答/
第3章 PN結二極管/
3.1PN結二極管的結構以及整流作用/
3.1.1PN結二極管的構造/
3.1.2整流作用/
3.2能帶圖（接地時）/
3.2.1接合之前的能帶圖/
3.2.2接合之後的能帶圖/
3.2.3能帶圖與電荷密度、電場及電動勢/
3.3能帶圖（施加偏置時）/
3.3.1反向偏置時的能帶圖/
3.3.2正向偏置時的能帶圖/
3.4電流電壓特性/
3.4.1擴散長度/
3.4.2空間電荷區中的PN積/
3.4.3正向偏置下的電流電壓特性/
3.4.4反向偏置下的電流電壓特性/
習題/
習題解答/
第4章 雙極性晶體管/
4.1雙極性晶體管的能帶圖/
4.1.1雙極性晶體管的結構/
4.1.2能帶圖/
4.2電流放大倍數與截止頻率/
4.2.1電流放大倍數/
4.2.2電流放大倍數的導出/
4.2.3截止頻率/
習題/
習題解答/
第5章 MOS電容器/
5.1MOS電容器的CV特性/
5.1.1電容的說明/
5.1.2MOS電容器的電容/
5.2MOS結構的能帶圖/
5.2.1能帶圖（接地）/
5.2.2能帶圖（施加柵極電壓的情況）/
5.3CV特性的頻率依賴性/
5.3.1低頻下的CV特性/
5.3.2高頻下的CV特性/
習題/
習題解答/
第6章 MOS晶體管/
6.1MOS晶體管的工作原理/
6.1.1MOS晶體管構造/
6.1.2電動勢分佈與電子流動/
6.2電流電壓特性/
6.2.1線性區以及飽和區/
6.2.2電流電壓特性的簡單公式/
6.2.3考慮漏極電壓VD情況下的漏極電流ID的式子/
6.2.4漏極電流ID飽和的理由/
6.2.5亞閾值區/
6.3NMOS與PMOS/
6.4反相器/
6.4.1電阻負載型反相器/
6.4.2CMOS反相器/
習題/
習題解答/
第7章 超大規模集成電路器件/
7.1器件微縮的方向：縮放比例定律/
7.1.1器件微縮化的好處/
7.1.2縮放比例定律/
7.2器件微縮的難點/
7.2.1短溝道效應/
7.2.2CMOS器件的閂鎖效應/
7.3互連線微縮造成的信號延遲/
7.3.1定性的說明/
7.3.2延遲時間的估算/
7.4閃存/
7.4.1存儲器LSI的分類/
7.4.2閃存：數據寫入以及擦除/
附錄/
【附錄1】常量表/
【附錄2】室溫下（300K）的Si基本常量/
【附錄3】從基本專利到實用化花了32年的MOS晶體管/
【附錄4】麥克斯韋-玻爾茲曼分佈函數/
【附錄5】關於電子密度n以及空穴密度p的公式/
【附錄6】質量作用定律/
【附錄7】PN結的耗盡層寬度/
【附錄8】載流子的產生與復合/
【附錄9】小信號下的共發射極電路的電流放大倍數/
【附錄10】帶隙變窄以及少數載流子遷移率/
【附錄11】閾值電壓Vth/
【附錄12】關於漏極電流ID飽和的解釋/
