納米憶阻器與神經形態計算 Neuromorphic Circuits for Nanoscale Devices
Pinaki Mazumder，Yalcin Yilmaz ，Idongesit Ebong ，Woo Hyung Lee 於永斌 胡小方 符藝原 譯
- 出版商: 機械工業
- 出版日期: 2022-05-26
- 售價: $534
- 貴賓價: 9.5 折 $507
- 語言: 簡體中文
- 頁數: 260
- 裝訂: 平裝
- ISBN: 7111704118
- ISBN-13: 9787111704119
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相關分類:
嵌入式系統
- 此書翻譯自: Neuromorphic Circuits for Nanoscale Devices (Hardcover)
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商品描述
本書闡述了納米器件的工作原理，重點介紹了用於非易失性存儲器、神經網絡訓練/學習和圖像處理的神經形態電路。第1章至第4章從物理特性、器件建模、電路模擬、架構等方面介紹了憶阻器交叉陣列存儲器；第5章和第6章介紹了基於學習的神經形態設計；第7章至第10章研究了基於量子隧穿器件的圖像處理、視頻運動處理和彩色圖像處理算法；第11章和第12章介紹並分析了基於憶阻器的細胞神經網絡。本書適合納米憶阻器與神經形態計算相關專業的研究生及高年級本科生閱讀。
作者簡介
李宇鉉博士，畢業於密歇根大學電氣工程系，目前是Intel公司CPU核心開發團隊的工程經理。他領導的設計團隊負責所有設計質量標準的設計優化和設計流程的開發以增強設計工具。在加入Intel之前，他曾擔任Oracle和Apple公司的技術主管。
目錄大綱
譯者序
前言
致謝
作者簡介
第1章 導論
1.1 發現
1.2 憶阻器
1.2.1 定義
1.2.2 理想憶阻器的直流響應
1.2.3 理想憶阻器的交流響應
1.2.4 理想憶阻器的交流響應：更高的頻率
1.2.5 進一步觀察
1.2.6 小結
1.3 憶阻器件和系統
1.3.1 定義
1.3.2 電阻開關機制
1.3.3 離子傳輸
1.3.4 導電絲的形成
1.3.5 相變轉換
1.3.6 諧振隧穿二極管
1.3.7 磁阻式存儲器、納米粒子和多態器件
1.4 神經形態計算
1.4.1 憶阻突觸
1.4.2 憶阻神經元
1.4.3 憶阻神經網絡
1.5 本章總結
致謝
參考文獻
第2章 交叉陣列存儲模擬和性能評估
2.1 引言
2.1.1 動機
2.1.2 其他存儲器
2.1.3 非晶矽交叉陣列存儲單元
2.2 結構
2.2.1 交叉陣列模型
2.3 寫入策略和電路實現
2.4 讀取策略和電路實現
2.5 存儲架構
2.6 功耗
2.6.1 功耗估計
2.6.2 靜態功率分析建模
2.7 噪聲分析
2.8 面積開銷
2.8.1 基於庫的系統設計
2.9 技術比較
參考文獻
……
第3章 基於憶阻器的數字存儲器
第4章 多級存儲架構
第5章 搭建憶阻器的神經形態組件
第6章 基於憶阻器的值疊代
第7章 基於隧道的細胞非線性網絡結構在圖像處理中的應用
第8章 多峰諧振隧穿二極管的彩色圖像處理
第9章 基於諧振隧穿二極管陣列的速度調諧濾波器設計
第10章 基於量子點和可變電阻器件的可編程人工視網膜圖像處理
第11章 基於憶阻器的非線性細胞/神經網絡:設計、分析及應用
