Kinetic Studies in GeO2/Ge System: A Retrospective from 2021
暫譯: GeO2/Ge 系統的動力學研究：2021 年回顧
Wang, Sheng-Kai
- 出版商: CRC
- 出版日期: 2024-08-26
- 售價: $2,390
- 貴賓價: 9.5 折 $2,271
- 語言: 英文
- 頁數: 134
- 裝訂: Quality Paper - also called trade paper
- ISBN: 1032258489
- ISBN-13: 9781032258485
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商品描述
This title investigates reaction kinetics in GeO2/Ge systems, aiming to demonstrate the fundamentals of the GeO2/Ge interface and to give insight into the distinctive features and performance of Ge (germanium) applied to advanced complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices.
商品描述(中文翻譯)
本書探討 GeO2/Ge 系統中的反應動力學，旨在展示 GeO2/Ge 界面的基本原理，並深入了解應用於先進互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 裝置的鍺 (germanium) 的獨特特徵和性能。
作者簡介
Sheng-Kai Wang is a professor in the Institute of Microelectronics at the Chinese Academy of Sciences (IMECAS), China, and Director General of the Youth Innovation Promotion Association of IMECAS. He has been engaged in Ge, III-V, and SiC in MOS technology for years and has published more than 100 papers and authorized more than 40 patents.
作者簡介(中文翻譯)
王聖凱是中國科學院微電子研究所（IMECAS）的教授，並擔任IMECAS青年創新促進會的總幹事。他多年來專注於鍺（Ge）、III-V族半導體及碳化矽（SiC）在金氧半技術中的應用，已發表超過100篇論文並授權超過40項專利。
