FinFET Modeling for IC Simulation and Design: Using the BSIM-CMG Standard (Hardcover)
Yogesh Singh Chauhan, Darsen Duane Lu, Vanugopalan Sriramkumar, Sourabh Khandelwal, Juan Pablo Duarte, Navid Payvadosi, Ai Niknejad, Chenming Hu
- 出版商: Academic Press
- 出版日期: 2015-02-18
- 售價: $3,140
- 貴賓價: 9.5 折 $2,983
- 語言: 英文
- 頁數: 304
- 裝訂: Hardcover
- ISBN: 0124200311
- ISBN-13: 9780124200319
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相關分類:
半導體、物理學 Physics、電子學 Eletronics
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相關翻譯:
用於集成電路仿真和設計的 FinFET 建模 — 基於 BSIM-CMG 標準 (簡中版)
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商品描述
This book is the first to explain FinFET modeling for IC simulation and the industry standard - BSIM-CMG - describing the rush in demand for advancing the technology from planar to 3D architecture, as now enabled by the approved industry standard.
The book gives a strong foundation on the physics and operation of FinFET, details aspects of the BSIM-CMG model such as surface potential, charge and current calculations, and includes a dedicated chapter on parameter extraction procedures, providing a step-by-step approach for the efficient extraction of model parameters.
With this book you will learn:
- Why you should use FinFET
- The physics and operation of FinFET
- Details of the FinFET standard model (BSIM-CMG)
- Parameter extraction in BSIM-CMG
- FinFET circuit design and simulation
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- Authored by the lead inventor and developer of FinFET, and developers of the BSIM-CM standard model, providing an experts' insight into the specifications of the standard
- The first book on the industry-standard FinFET model - BSIM-CMG
商品描述(中文翻譯)
這本書是第一本解釋FinFET模型用於IC模擬的書籍,並介紹了行業標準-BSIM-CMG-描述了從平面到3D架構的技術進步的需求激增,現在已經通過行業標準的批准。
該書為FinFET的物理和操作提供了堅實的基礎,詳細介紹了BSIM-CMG模型的各個方面,如表面電位、電荷和電流計算,並包括了一章專門介紹參數提取程序,提供了一種高效提取模型參數的逐步方法。
通過這本書,您將學到:
- 為什麼應該使用FinFET
- FinFET的物理和操作原理
- FinFET標準模型(BSIM-CMG)的詳細信息
- BSIM-CMG中的參數提取
- FinFET電路設計和模擬
該書由FinFET的首席發明人和開發人員以及BSIM-CM標準模型的開發人員撰寫,提供了對標準規範的專家見解。
這是第一本關於行業標準FinFET模型-BSIM-CMG的書籍。